HFA3127BZ Renesas / Intersil
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Technische Details HFA3127BZ Renesas / Intersil
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Fünffach NPN, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote HFA3127BZ nach Preis ab 11.04 EUR bis 21.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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HFA3127BZ | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16-SOICPackaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 5 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Supplier Device Package: 16-SOIC |
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HFA3127BZ | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Fünffach NPN Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| HFA3127BZ | Hersteller : Intersil |
Pb-FREE, W/ANNEAL, TXARRAY 5X NPN 16NSOIC MIL HFA3 ITSHFA3127B Anzahl je Verpackung: 48 Stücke |
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HFA3127BZ | Hersteller : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x5; bipolar; RF; 12V; 37mA; 150mW; SO16 Type of transistor: NPN x5 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 37mA Power dissipation: 0.15W Case: SO16 Current gain: 130 Mounting: SMD Frequency: 8GHz |
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