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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A onsemi


hgtd1n120bns-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Technische Details HGTD1N120BNS9A onsemi

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: 60W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 5.3A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+2.19 EUR
68+2.08 EUR
100+1.63 EUR
250+1.52 EUR
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1000+0.97 EUR
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : onsemi / Fairchild HGTD1N120BNS_D-1810424.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
auf Bestellung 57815 Stücke:
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2+2.24 EUR
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500+1.08 EUR
1000+1 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.38 EUR
67+2.11 EUR
68+2 EUR
100+1.56 EUR
250+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.5 EUR
10+2.25 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13940 Stücke:
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor hgtd1n120bns-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Hersteller : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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HGTD1N120BNS9A Hersteller : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 60W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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