HGTD1N120BNS9A onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.01 EUR |
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Technische Details HGTD1N120BNS9A onsemi
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: 60W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 5.3A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote HGTD1N120BNS9A nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series |
auf Bestellung 58141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A Power - Max: 60 W |
auf Bestellung 4968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: 60W euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 5.3A Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.7A Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 60W Gate charge: 21nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| HGTD1N120BNS9A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.7A Pulsed collector current: 6A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 60W Gate charge: 21nC Collector-emitter voltage: 1.2kV |
Produkt ist nicht verfügbar |