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HGTG10N120BND

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Produktcode: 91807
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Transistoren > MOSFET N-CH

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HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.32 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.87 EUR
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HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 345 Stücke:
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HGTG10N120BND HGTG10N120BND ON Semiconductor hgtg10n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG10N120BND HGTG10N120BND onsemi hgtg10n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 6918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
30+4.2 EUR
120+3.47 EUR
510+2.93 EUR
1020+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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1000+2.87 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
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