HGTG18N120BND ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 11.95 EUR |
| 22+ | 10.86 EUR |
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Technische Details HGTG18N120BND ONSEMI
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 390 W.
Weitere Produktangebote HGTG18N120BND
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| HGTG18N120BND | ONS/FAI |
IGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
HGTG18N120BND | onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 390 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
HGTG18N120BND | onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HGTG18N120BND | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HGTG18N120BND |
|
Hersteller: ONS/FAI
IGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори
IGBT 1200V 54A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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| HGTG18N120BND |
|
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W
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| HGTG18N120BND |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
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| HGTG18N120BND |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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