HGTG30N60B3 Harris Corporation
Hersteller: Harris CorporationDescription: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 16153 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 84+ | 5.42 EUR |
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Technische Details HGTG30N60B3 Harris Corporation
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote HGTG30N60B3 nach Preis ab 3.71 EUR bis 4.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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HGTG30N60B3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 16153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 | Hersteller : HARRIS |
HGTG30N60B3 |
auf Bestellung 15421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 | Hersteller : HARRIS |
HGTG30N60B3 |
auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 |
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auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGTG30N60B3 |
FSC 06+ TO-3P |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HGTG30N60B3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG30N60B3 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
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HGTG30N60B3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series |
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