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Technische Details HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote HN1A01F-GR(TE85L,F nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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HN1A01F-GR(TE85L,F | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A |
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HN1A01F-GR(TE85L,F | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
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HN1A01F-GR(TE85L,F | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
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HN1A01F-GR(TE85L,F Produktcode: 91733
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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HN1A01F-GR(TE85L,F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 |
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