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HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Technische Details HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HN1A01FE-GR,LF HN1A01FE-GR,LF Toshiba HN1A01FE_datasheet_en_20210818-1140132.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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HN1A01FE-GR,LF HN1A01FE-GR,LF Toshiba hn1a01fe_datasheet_en_20210818.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
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