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HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2848 Stücke:
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Technische Details HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HN1C01FE-GR,LF HN1C01FE-GR,LF Toshiba EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
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