HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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Technische Details HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Hersteller : Toshiba F60C4A7BE16CE38C56FA11884C73A33FB6E7C4371F2AB7EC06E8784797F5A52B.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 4249069.pdf Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: To Be Advised
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HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 4249069.pdf Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
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Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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