HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Weitere Produktangebote HN4C51J(TE85L,F) nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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HN4C51J(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
auf Bestellung 8342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HN4C51J(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SMV |
auf Bestellung 11859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HN4C51J(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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HN4C51J(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HN4C51J(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
auf Bestellung 8342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| HN4C51J(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 31+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| HN4C51J(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 1759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| HN4C51J(TE85L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
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Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 1759 Stücke:
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