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HN7G01FU-A(T5L,F,T Toshiba

HN7G01FU_datasheet_en_20071101-317807.pdf
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA
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Technische Details HN7G01FU-A(T5L,F,T Toshiba

Bipolar Transistors - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA.