HP8JE5TB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.26 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
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Technische Details HP8JE5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote HP8JE5TB1 nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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HP8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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HP8JE5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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HP8JE5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HP8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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