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HP8KB6TB1

HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote HP8KB6TB1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM hp8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.64 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM hp8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
91+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.4 EUR
100+2.33 EUR
200+2.01 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
HP8KB6TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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HP8KB6TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
91+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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HP8KB6TB1 datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HP8KB6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.4 EUR
100+2.33 EUR
200+2.01 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH