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HP8KB7TB1

HP8KB7TB1 ROHM

hp8kb7tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details HP8KB7TB1 ROHM

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KB7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+4.06 EUR
100+2.84 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.31 EUR
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HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 ROHM hp8kb7tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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60+3.88 EUR
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HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KB7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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4+6.68 EUR
10+4.37 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor hp8kb7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
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HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor hp8kb7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
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Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
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Supplier Device Package: 8-HSOP
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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