HP8KC5TB1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details HP8KC5TB1 ROHM
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote HP8KC5TB1 nach Preis ab 0.96 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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HP8KC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HP8KC5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KC5TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HP8KC5TB1 |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.69 EUR |
| 10+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2500+ | 1.01 EUR |
| HP8KC5TB1 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.69 EUR |
| 10+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| HP8KC5TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.9 EUR |
| 81+ | 2.88 EUR |
| HP8KC5TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.57 EUR |
| 149+ | 1.15 EUR |
| 200+ | 0.96 EUR |
| HP8KC5TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)