HP8KC7TB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 5.63 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
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Technische Details HP8KC7TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote HP8KC7TB1 nach Preis ab 1.79 EUR bis 6.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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HP8KC7TB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
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HP8KC7TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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HP8KC7TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KC7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KC7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP |
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| HP8KC7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin HSOP EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HP8KC7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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