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HP8KC7TB1

HP8KC7TB1 ROHM

hp8kc7tb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details HP8KC7TB1 ROHM

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HP8KC7TB1 HP8KC7TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+4.08 EUR
100+2.87 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.39 EUR
2500+2.31 EUR
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HP8KC7TB1 HP8KC7TB1 ROHM hp8kc7tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
60+3.88 EUR
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500+2.17 EUR
1000+2.07 EUR
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HP8KC7TB1 HP8KC7TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
10+4.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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HP8KC7TB1 datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
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MOSFETs 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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AnzahlPrivatkunde
1+6.24 EUR
10+4.08 EUR
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500+2.48 EUR
1000+2.39 EUR
2500+2.31 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KC7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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40+6.38 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.5A 8HSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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