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HP8KE5TB1

HP8KE5TB1 Rohm Semiconductor

Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details HP8KE5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote HP8KE5TB1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Hersteller : ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
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HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
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HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Hersteller : ROHM 4461475.pdf Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Hersteller : ROHM 4461475.pdf Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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HP8KE5TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor hp8ke5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+1.34 EUR
145+0.96 EUR
200+0.79 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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HP8KE5TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor hp8ke5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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