HP8KE6TB1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details HP8KE6TB1 ROHM
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote HP8KE6TB1 nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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HP8KE6TB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HP8KE6TB1 | ROHM |
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE6TB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HP8KE6TB1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.4 EUR |
| 10+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| 2500+ | 1.38 EUR |
| 5000+ | 1.31 EUR |
| HP8KE6TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| HP8KE6TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.57 EUR |
| 85+ | 2.74 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| HP8KE6TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 200+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 2000+ | 1.15 EUR |
| HP8KE6TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)