HP8KE7TB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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| 1+ | 5.58 EUR |
| 10+ | 3.89 EUR |
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| 500+ | 2.22 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
| 2500+ | 2.02 EUR |
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Technische Details HP8KE7TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote HP8KE7TB1 nach Preis ab 2.00 EUR bis 5.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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HP8KE7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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HP8KE7TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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HP8KE7TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0151 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0151ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 26W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KE7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HP8KE7TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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