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HP8ME5TB1

HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor

hp8me5tb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 20W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote HP8ME5TB1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HP8ME5TB1 HP8ME5TB1 ROHM hp8me5tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1 HP8ME5TB1 ROHM Semiconductor hp8me5tb1-e.pdf MOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 10423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.07 EUR
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HP8ME5TB1 HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor hp8me5tb1-e.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HP8ME5TB1 HP8ME5TB1 ROHM hp8me5tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.69 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor hp8me5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.46 EUR
250+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor hp8me5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor hp8me5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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HP8ME5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
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500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.07 EUR
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Description: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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HP8ME5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.273ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
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Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
120+1.46 EUR
250+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
79+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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HP8ME5TB1 hp8me5tb1-e.pdf
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Trans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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