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HT8KB5TB1

HT8KB5TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HT8KB5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details HT8KB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote HT8KB5TB1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HT8KB5TB1 HT8KB5TB1 Rohm Semiconductor ht8kb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
122+1.42 EUR
133+1.26 EUR
200+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 HT8KB5TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HT8KB5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 HT8KB5TB1 ROHM ht8kb5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 HT8KB5TB1 ROHM ht8kb5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 HT8KB5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KB5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
25+1.59 EUR
100+1.27 EUR
250+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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HT8KB5TB1 ht8kb5tb1-e.pdf
HT8KB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.69 EUR
122+1.42 EUR
133+1.26 EUR
200+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 datasheet?p=HT8KB5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KB5TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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HT8KB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 ht8kb5tb1-e.pdf
HT8KB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1 datasheet?p=HT8KB5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HT8KB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.89 EUR
25+1.59 EUR
100+1.27 EUR
250+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH