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HT8KE5HTB1

HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
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Technische Details HT8KE5HTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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HT8KE5HTB1 HT8KE5HTB1 ROHM 4461476.pdf Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Bauform - Transistor: HSMT
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