HT8KE5TB1

HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Technische Details HT8KE5TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HT8KE5TB1 HT8KE5TB1 Hersteller : ROHM ht8ke5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
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Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 500 Stücke:
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HT8KE5TB1 HT8KE5TB1 Hersteller : ROHM ht8ke5tb1-e.pdf Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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