HT8KE5TB1 Rohm Semiconductor
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Technische Details HT8KE5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote HT8KE5TB1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.46 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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HT8KE5TB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
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HT8KE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
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HT8KE5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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HT8KE5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HT8KE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
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