HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
MOSFET 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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| 14+ | 3.8 EUR |
| 17+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 3000+ | 1.53 EUR |
| 6000+ | 1.5 EUR |
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Technische Details HT8KE6TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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HT8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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HT8KE6TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.044 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |