HT8KF6HTB1 ROHM Semiconductor


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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 150V DUAL 7.A
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Technische Details HT8KF6HTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 Rohm Semiconductor ht8kf6htb1-e.pdf Description: 150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
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HT8KF6HTB1 HT8KF6HTB1 ROHM 4536308.pdf Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
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HT8KF6HTB1 4536308.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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