| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 3000+ | 1.02 EUR |
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Technische Details HT8MC5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote HT8MC5TB1 nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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HT8MC5TB1 | ROHM |
 Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.097ohm Verlustleistung, p-Kanal: 13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HT8MC5TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - HT8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
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Bauform - Transistor: HSMT
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.09 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 143+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |