| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 3000+ | 1.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details HT8MD5HTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote HT8MD5HTB1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 4.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HT8MD5HTB1 | ROHM |
 Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| HT8MD5HTB1 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - HT8MD5HTB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 9 A, 8.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.18 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |