HUF75321D3ST ON Semiconductor
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Technische Details HUF75321D3ST ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote HUF75321D3ST nach Preis ab 0.39 EUR bis 0.87 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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HUF75321D3ST | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75321D3ST | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75321D3ST | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET |
auf Bestellung 2347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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HUF75321D3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| HUF75321D3ST | Hersteller : ONSEMI |
HUF75321D3ST SMD N channel transistors |
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