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HUF76407D3ST

HUF76407D3ST onsemi

huf76407d3s-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details HUF76407D3ST onsemi

Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Weitere Produktangebote HUF76407D3ST nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HUF76407D3ST HUF76407D3ST onsemi huf76407d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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100+1.27 EUR
500+1.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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HUF76407D3ST HUF76407D3ST onsemi huf76407d3s-d.pdf MOSFETs 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 4180 Stücke:
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1+3.08 EUR
10+1.62 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
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HUF76407D3ST HUF76407D3ST ONSEMI 2907453.pdf Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
133+1.75 EUR
149+1.45 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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HUF76407D3ST HUF76407D3ST ONSEMI 2907453.pdf Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 3917 Stücke:
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HUF76407D3ST
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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HUF76407D3ST
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
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Description: ONSEMI - HUF76407D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.077 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.95 EUR
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