Produkte > ONSEMI > HUF76629D3ST
HUF76629D3ST

HUF76629D3ST onsemi

huf76629d3s-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details HUF76629D3ST onsemi

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote HUF76629D3ST nach Preis ab 1.34 EUR bis 3.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.60 EUR
64+2.18 EUR
100+1.88 EUR
250+1.72 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.60 EUR
64+2.18 EUR
100+1.88 EUR
250+1.72 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : onsemi huf76629d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
auf Bestellung 17964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.75 EUR
10+2.75 EUR
100+2.15 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : onsemi / Fairchild huf76629d3s-d.pdf MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.91 EUR
10+2.87 EUR
100+2.24 EUR
500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Hersteller : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST Hersteller : ONSEMI huf76629d3s-d.pdf HUF76629D3ST SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH