HUF76629D3ST ON Semiconductor
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
58+ | 2.72 EUR |
64+ | 2.28 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
250+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.58 EUR |
1000+ | 1.45 EUR |
3000+ | 1.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details HUF76629D3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.
Weitere Produktangebote HUF76629D3ST nach Preis ab 1.4 EUR bis 6.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUF76629D3ST | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch |
auf Bestellung 7491 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
HUF76629D3ST | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |