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HYG043N10NS2B HUAYI


Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; HYG043N10NS2B THYG043n10ns2b
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Technische Details HYG043N10NS2B HUAYI HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; HYG043N10NS2B THYG043n10ns2b, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.