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HYG043N10NS2B

HYG043N10NS2B HUAYI

THYG043n10ns2b_HUAYI_0001.pdf
Hersteller: HUAYI
HYG043N10NS2B HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; THYG043n10ns2b
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Technische Details HYG043N10NS2B HUAYI

HYG043N10NS2B HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C; THYG043n10ns2b.