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HYG053N10NS1B HUAYI


Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C; HYG053N10NS1B THYG053n10ns1b
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Technische Details HYG053N10NS1B HUAYI HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C; HYG053N10NS1B THYG053n10ns1b, Anzahl je Verpackung: 25 Stücke.