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HYG210P06LQ1D

HYG210P06LQ1D HUAYI

THYG210p06lq1d_HUAYI_0001.pdf
Hersteller: HUAYI
HYG210P06LQ1D HUAYI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C; THYG210p06lq1d
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Technische Details HYG210P06LQ1D HUAYI

HYG210P06LQ1D HUAYI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C; THYG210p06lq1d.