IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: HSOF-5-4, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IAUA180N10S5N029AUMA1 nach Preis ab 2.43 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: HSOF-5-4 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: HSOF-5-4 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005423385 |
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| IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 561A Power dissipation: 221W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUA180N10S5N029AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 561A Power dissipation: 221W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 |
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