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IAUA210N10S5N024AUMA1

IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IAUA210N10S5N024AUMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUA210N10S5N024_DataSheet_v01_00_EN-2942421.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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IAUA210N10S5N024AUMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8696 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3600 Stücke:
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3+7.44 EUR
10+4.92 EUR
100+3.49 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IAUA210N10S5N024AUMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : INFINEON 3974496.pdf Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 210A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUA210N10S5N024AUMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : INFINEON 3974496.pdf Description: INFINEON - IAUA210N10S5N024AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.002 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b SP005412964
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IAUA210N10S5N024AUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
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