Produkte > INFINEON > IAUA250N08S5N018AUMA1
IAUA250N08S5N018AUMA1

IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON

3974497.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.12 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 238W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Weitere Produktangebote IAUA250N08S5N018AUMA1 nach Preis ab 2.93 EUR bis 10.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUA250N08S5N018AUMA1 IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUA250N08S5N018_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+5.24 EUR
100+3.72 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.14 EUR
2000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
10+5.22 EUR
100+3.7 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON 3974497.pdf Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.25 EUR
37+6.31 EUR
100+4.12 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon_IAUA250N08S5N018_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUA250N08S5N018AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.9 EUR
10+5.24 EUR
100+3.72 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.14 EUR
2000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41
IAUA250N08S5N018AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.91 EUR
10+5.22 EUR
100+3.7 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N08S5N018AUMA1 3974497.pdf
IAUA250N08S5N018AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.25 EUR
37+6.31 EUR
100+4.12 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH