IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.38 EUR |
| 10+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
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Technische Details IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IAUAN04S7N008AUMA1 nach Preis ab 1.62 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IAUAN04S7N008AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 1901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUAN04S7N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUAN04S7N008AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUAN04S7N008AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IAUAN04S7N008AUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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