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IAUAN04S7N008AUMA1

IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON

4256787.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUAN04S7N008-DataSheet--DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190fa99f121f Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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6+4.02 EUR
10+3.34 EUR
100+2.56 EUR
500+2.08 EUR
1000+2.03 EUR
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IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUAN04S7N008_DataSheet__DataSheet_v01_00-3450185.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1901 Stücke:
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1+4.25 EUR
10+3.53 EUR
100+2.83 EUR
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500+2.37 EUR
1000+2.03 EUR
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IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON 4256787.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1980 Stücke:
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IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N008-DataSheet--DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190fa99f121f
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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