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IAUC100N04S6L014ATMA1

IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: IAUC100N04S6L014ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6L014_DataSheet_v01_00_EN-1840614.pdf MOSFETs N
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : INFINEON 2920448.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUC100N04S6L014ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 400A
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