IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUC100N04S6L020ATMA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 19009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IAUC100N04S6L020ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00204 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00204ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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| IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IAUC100N04S6L020ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 400A |
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