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IAUC100N04S6L020ATMA1

IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON 2920449.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
105+1.63 EUR
122+1.38 EUR
200+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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auf Bestellung 8372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.83 EUR
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.33 EUR
100+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON 2920449.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
106+2.21 EUR
250+1.43 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON 2920449.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
106+2.21 EUR
250+1.43 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.88 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.88 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 2920449.pdf
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+1.84 EUR
105+1.63 EUR
122+1.38 EUR
200+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 8372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6L020ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.69 EUR
10+2.33 EUR
100+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6L020ATMA1 2920449.pdf
IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.7 EUR
106+2.21 EUR
250+1.43 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2040 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00166ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10350 Stücke:
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100+3.7 EUR
106+2.21 EUR
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