IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6N028ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.59 EUR |
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Technische Details IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IAUC100N04S6N028ATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IAUC100N04S6N028ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IAUC100N04S6N028ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 6743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: PG-TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC100N04S6N028ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 62W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 |
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