Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC100N10S5N040ATMA1
IAUC100N10S5N040ATMA1

IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc100n10s5n040-datasheet-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 5000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Weitere Produktangebote IAUC100N10S5N040ATMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 8.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies infineon_iauc100n10s5n040_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 10746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+3.22 EUR
100+2.7 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n10s5n040-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
10+4.03 EUR
50+3.11 EUR
100+2.8 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
63+3.74 EUR
100+3.15 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.94 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 infineon_iauc100n10s5n040_datasheet_en.pdf
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 10746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.22 EUR
10+3.22 EUR
100+2.7 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 infineon-iauc100n10s5n040-datasheet-cn.pdf
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.22 EUR
10+4.03 EUR
50+3.11 EUR
100+2.8 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.07 EUR
63+3.74 EUR
100+3.15 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH