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IAUC100N10S5N040ATMA1

IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.8 EUR
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Technische Details IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IAUC100N10S5N040ATMA1 nach Preis ab 2.26 EUR bis 7.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
auf Bestellung 33063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
50+3.09 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
auf Bestellung 33063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
50+3.09 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFN-S-A0006155550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N10S5N040ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH