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IAUC120N04S6L005ATMA1

IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm.

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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6L005_DataSheet_v01_00_EN-1929625.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Technology: OptiMOS™ 6
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 0.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1550A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Technology: OptiMOS™ 6
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 0.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1550A
Produkt ist nicht verfügbar