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IAUC120N04S6L005ATMA1

IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IAUC120N04S6L005ATMA1 nach Preis ab 1.84 EUR bis 7.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
52+3.25 EUR
54+2.99 EUR
100+2.57 EUR
250+2.38 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.01 EUR
50+3.47 EUR
52+3.24 EUR
100+2.8 EUR
250+2.64 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
3000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
55+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
3000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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auf Bestellung 5754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.61 EUR
100+3.36 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.43 EUR
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IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.78 EUR
52+3.25 EUR
54+2.99 EUR
100+2.57 EUR
250+2.38 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.94 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
44+4.01 EUR
50+3.47 EUR
52+3.24 EUR
100+2.8 EUR
250+2.64 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.23 EUR
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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100+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.27 EUR
55+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
3000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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1+7.06 EUR
10+4.61 EUR
100+3.36 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.43 EUR
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.12 EUR
10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
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