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IAUC120N06S5L032ATMA1

IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:

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Technische Details IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 94W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N06S5L032_DataSheet_v01_00_EN-1901231.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19838 Stücke:
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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19383 Stücke:
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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : INFINEON 3159561.pdf Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 94W
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Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies iauc120n06s5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N06S5L032ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
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