IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 4.03 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
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Technische Details IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUC120N06S5N017ATMA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 4.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 8192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 226A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Pulsed drain current: 757A Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IAUC120N06S5N017ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Pulsed drain current: 757A |
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