IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.01 EUR |
| 14+ | 1.27 EUR |
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Technische Details IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IAUC24N10S5L300ATMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| IAUC24N10S5L300ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 96A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement On-state resistance: 30mΩ Drain current: 16A |
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