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IAUC45N04S6L063HATMA1

IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUC45N04S6L063H_DataSheet_v01_00_EN-1921384.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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Technische Details IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 134A, Power dissipation: 41W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 8.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.

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IAUC45N04S6L063HATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iauc45n04s6l063h-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive Power Mosfet
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IAUC45N04S6L063HATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC45N04S6L063HATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 15A; Idm: 134A; 41W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8
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On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
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