IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm.
Weitere Produktangebote IAUC60N04S6L039ATMA1 nach Preis ab 0.39 EUR bis 3.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 12018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 7811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 7811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm |
auf Bestellung 4570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm |
auf Bestellung 4570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 856+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 856+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 10000+ | 0.6 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.71 EUR |
| 164+ | 1.04 EUR |
| 207+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2000+ | 0.52 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.71 EUR |
| 164+ | 1.01 EUR |
| 207+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.7 EUR |
| 13+ | 1.69 EUR |
| 50+ | 1.25 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 3.4 EUR |
| 112+ | 2.08 EUR |
| 250+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |
| IAUC60N04S6L039ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.4 EUR |
| 112+ | 2.08 EUR |
| 250+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |



