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IAUC60N04S6L045HATMA1

IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 52W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 52W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 52W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IAUC60N04S6L045HATMA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC60N04S6L045HATMA1 IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
103+2.26 EUR
150+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IAUC60N04S6L045HATMA1 IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
103+2.26 EUR
150+1.43 EUR
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IAUC60N04S6L045HATMA1 IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
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Grade: Automotive
Power - Max: 52W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IAUC60N04S6L045HATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39373 Stücke:
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IAUC60N04S6L045HATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
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Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
103+2.26 EUR
150+1.43 EUR
500+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
IAUC60N04S6L045HATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 52W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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