IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 5000+ | 0.87 EUR |
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Technische Details IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 52W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 52W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUC60N04S6L045HATMA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 52W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 52W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 39373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3700 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.22 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| 5000+ | 0.87 EUR |
| IAUC60N04S6L045HATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.89 EUR |
| 10+ | 2.49 EUR |