IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, Bauform - Transistor: TDSON, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 52, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40, Verlustleistung, p-Kanal: 52, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037, Dauer-Drainstrom Id: 60, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 52, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IAUC60N04S6L045HATMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 52W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 29632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: OptiMOS 6 Series Bauform - Transistor: TDSON Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 52 Drain-Source-Spannung Vds: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 Verlustleistung, p-Kanal: 52 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037 Dauer-Drainstrom Id: 60 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 52 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L045HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: OptiMOS 6 Series Bauform - Transistor: TDSON Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 52 Drain-Source-Spannung Vds: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 Verlustleistung, p-Kanal: 52 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037 Dauer-Drainstrom Id: 60 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 52 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004134514 |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive Power Mosfet |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| IAUC60N04S6L045HATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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