IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm.
Weitere Produktangebote IAUC60N04S6N044ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IAUC60N04S6N044ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00353 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PG-TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00353ohm |
auf Bestellung 3501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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| IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IAUC60N04S6N044ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
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| IAUC60N04S6N044ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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