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IAUC60N04S6N050HATMA1

IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON

Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+3 EUR
130+1.8 EUR
153+1.4 EUR
500+1.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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Technische Details IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 52W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 52W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IAUC60N04S6N050HATMA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
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auf Bestellung 9707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
130+1.8 EUR
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IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_10-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.11 EUR
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IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
IAUC60N04S6N050HATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
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IAUC60N04S6N050HATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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